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濺射及蒸鍍用靶材

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濺 射 及 蒸 鍍 用 靶 材

產(chǎn)品名稱

純度

形狀

鑭靶

2N5-4N

圓柱 片狀 顆粒 球形 絲

鈰靶

2N5-3N

鐠靶

2N5-3N

釹靶

2N5-3N

釤靶

3N5

銪靶

4N

釓靶

2N5-3N

鋱靶

4N

鏑靶

2N5-3N

鈥靶

2N5-3N

鉺靶

2N5-3N

銩靶

2N5-3N

鐿靶

4N

镥靶

2N5-3N

釔靶

2N5-3N

鈧靶

4N-5N

鎂靶

4N

銀靶

4N

鋰靶

3N


購買金屬靶材的技術(shù)指標及注意事項:

對于所有的金屬來說純度是靶材的主要性能指標之一,為什么這么說呢?靶材的純度對后期產(chǎn)品薄膜的性能影響很大。但是每一個產(chǎn)品對靶材的純度要求也有不相同的地方。例如,微電子行業(yè)的迅速發(fā)展,硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um,在以前的技術(shù)要求上對于靶材純度是99.995%的靶材是完全可以滿足0.35umIC的工藝要求,但是現(xiàn)在而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

純度說了,再說說靶材的雜質(zhì)含量.什么是靶材的雜質(zhì)含量?在經(jīng)過一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因為所處的用處不一樣所以不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。比如現(xiàn)在的半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材,對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。

靶材的密度:

密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標之一.在靶材的技術(shù)工藝中為了減少靶材固體中的氣孔,提高濺射薄膜的性能,一般是要求靶材必須具有較高的密度。因為靶材主要特性密度對濺射速率有著很大的影響,并且影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。

然后來說一說晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材為多晶結(jié)構(gòu),晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材,晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快;而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。 



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